光酸(PAG)

1969 年将第一人送上月球所使用的计算能力还不如今天我们每个人的智能手机。芯片的微型化和半导体计算能力的不断发展,使这一令人难以置信的进步成为可能。

无线连接、复杂的汽车功能或物联网的兴起,都反映了对能够满足高要求的半导体需求的增长。超纯特种化学品是光刻工艺中使用的基本原材料,光刻工艺是生产内存和逻辑芯片的关键步骤。

贺利氏电子化学材料生产电子级光活性材料已有 30 多年的历史,为高分辨率的光刻胶提供了独特的产品。

这些产品大多纯度超过 99.5%,所有 26 种金属的含量均低于 10ppb。这使得传统化学品也能用于光刻胶的前沿领域。

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Name
Technology
Product Type
Description
DTBPIO-C1Deep UVPAGStrong acid(C1) generation m.p. 104–105°C
DTBPIO-CSDeep UVPAG, PFAS-Free PAGWeak acid (camphorsulfonic acid) generation m.p. 215–217°C
DTBPIO-NfDeep UVPAGLow diffusion strong acid(nonaflic acid) generation m.p. 175–177°C
DTBPIO-TFMBSDeep UVPAGWeak acid (o-trifluoromethylbenzenesulfonic acid) generation m.p. 162–164°C
HTPG-104Si-linePAG, PFAS-Free PAGWhite powder Strong acid (HCI) generation m.p. 143–145°C
ILP-110i-linePAGLight-yellow powder Strong acid(triflic acid) generation m.p. 113–114°C
ILP-110Ni-linePAGLow diffusion strong acid (nonaflic acid) generation m.p. 122–124°C
ILP-113I, h-line broadbandPAGYellow powder Strong acid (triflic acid) generation m.p. 125–126°C
ILP-118i-linePAGLight-yellow powder Strong acid(triflic acid) generation m.p. 66–68°C
MDTDeep UVPAGWhite powder Strong acid (triflic acid) generation m.p. 88–89°C
NINi-linePAGWhite crystalline powder. Low diffusion Strong acid(nonaflic acid) generation m.p. 148.5–149.5°C
NITi-linePAGWhite powder Strong acid(triflic acid) generation m.p. 210–214°C
PA-229Deep UVPAGWhite powder Low diffusion strong acid (nonaflic acid) generation m.p. 54–56°C
PA-253ArFPAGStrong acid generation m.p. 128–129°C
PA-255ArFPAGStrong acid generation m.p. 93-95°C
PA-279ArFPAGStrong acid generation m.p. 143-145°C
PA-296Deep UVPAGStrong acid(N3) generation m.p. 159-161°C
PA-298i-linePAG, PFAS-Free PAGYellow powder Weak acid(tosylic acid) generation m.p. 130–131°C
PA-304Deep UVPAGStrong acid(C1) generation m.p. 130–131°C
PA-313ArFPAGStrong acid generation m.p. 129–130°C